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NGTB15N60S1EG

ON图标
单路IGBT
制造厂商:安森美半导体(ON Semiconductor)
功能简述:IGBT 600V 30A 117W TO220-3
原厂封装:TO-220
优势价格,NGTB15N60S1EG的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货
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NGTB15N60S1EG的功能参数资料 - 安森美(ON)提供
  • ON安森美标准型号:NGTB15N60S1EG
  • 制造厂家名称:ON Semiconductor
  • 描述:IGBT 600V 30A 117W TO220-3
  • 系列:-
  • IGBT 类型:NPT
  • 电压 - 集射极击穿(最大值):600V
  • 电流 - 集电极 (Ic)(最大值):30A
  • Current - Collector Pulsed (Icm):120A
  • 不同 Vge、Ic 时的 Vce(on):1.7V @ 15V,15A
  • 功率 - 最大值:117W
  • Switching Energy:550μJ (开), 350μJ (关)
  • 输入类型:标准
  • Gate Charge:88nC
  • 25°C 时 Td(开/关)值:65ns/170ns
  • Test Condition:400V,15A,22 欧姆,15V
  • 反向恢复时间 (trr):270ns
  • ON安森美封装:TO-220-3
  • 安装类型:通孔
  • 器件封装:TO-220
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