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NGTB15N60EG
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NGTB15N60EG技术资料
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NGTB15N60EG
晶体管 - UGBT、MOSFET - 单
制造厂商：
安森美(ONSEMI)
功能简述：
IGBT 600V 30A 117W TO220-3
原厂封装：
TO-220-3
优势价格，NGTB15N60EG的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货
NGTB15N60EG的技术资料下载
NGTB15N60EG的功能参数资料 - 安森美公司(ONSEMI)提供
制造商产品型号：NGTB15N60EG
制造商：ON安森美半导体（ONSEMI）
描述：IGBT 600V 30A 117W TO220-3
系列：晶体管 - UGBT、MOSFET - 单
产品系列：-
零件状态：停产
IGBT类型：NPT
电压-集射极击穿（最大值）：600V
电流-集电极(Ic)（最大值）：30A
电流-集电极脉冲(Icm)：120A
不同?Vge、Ic时?Vce(on)（最大值）：1.95V @ 15V，15A
功率-最大值：117W
开关能量：900μJ（开），300μJ（关）
输入类型：标准
栅极电荷：80nC
25°C时Td（开/关）值：78ns/130ns
测试条件：400V，15A，22 欧姆，15V
反向恢复时间(trr)：270ns
工作温度：-55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型：通孔
封装：TO-220-3
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