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NGTB15N60EG
单路IGBT
制造厂商：
安森美半导体(ON Semiconductor)
功能简述：
IGBT 600V 30A 117W TO220-3
原厂封装：
TO-220
优势价格，NGTB15N60EG的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货
NGTB15N60EG的技术资料下载
NGTB15N60EG的功能参数资料 - 安森美(ON)提供
ON安森美标准型号：NGTB15N60EG
制造厂家名称：ON Semiconductor
描述：IGBT 600V 30A 117W TO220-3
系列：-
IGBT 类型：NPT
电压 - 集射极击穿（最大值）：600V
电流 - 集电极 (Ic)（最大值）：30A
Current - Collector Pulsed (Icm)：120A
不同 Vge、Ic 时的 Vce(on)：1.95V @ 15V，15A
功率 - 最大值：117W
Switching Energy：900μJ （开）， 300μJ （关）
输入类型：标准
Gate Charge：80nC
25°C 时 Td（开/关）值：78ns/130ns
Test Condition：400V，15A，22 欧姆，15V
反向恢复时间 (trr)：270ns
ON安森美封装：TO-220-3
安装类型：通孔
器件封装：TO-220
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