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NGTB05N60R2DT4G的图片

NGTB05N60R2DT4G

晶体管 - UGBT、MOSFET - 单

制造厂商：安森美(ONSEMI)

功能简述：IGBT 5A 600V DPAK

原厂封装：-

优势价格，NGTB05N60R2DT4G的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货

NGTB05N60R2DT4G的技术资料下载

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NGTB05N60R2DT4G的功能参数资料 - 安森美公司(ONSEMI)提供

制造商产品型号：NGTB05N60R2DT4G

制造商：ON安森美半导体（ONSEMI）

描述：IGBT 5A 600V DPAK

系列：晶体管 - UGBT、MOSFET - 单

产品系列：*

零件状态：停产

IGBT类型：-

电压-集射极击穿（最大值）：-

电流-集电极(Ic)（最大值）：-

电流-集电极脉冲(Icm)：-

不同?Vge、Ic时?Vce(on)（最大值）：-

功率-最大值：-

开关能量：-

输入类型：-

栅极电荷：-

25°C时Td（开/关）值：-

测试条件：-

反向恢复时间(trr)：-

工作温度：-

安装类型：-

封装：-

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