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NGTB03N60R2DT4G
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NGTB03N60R2DT4G价格
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NGTB03N60R2DT4G技术资料
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NGTB03N60R2DT4G
晶体管 - UGBT、MOSFET - 单
制造厂商:
安森美(ONSEMI)
功能简述:
IGBT 9A 600V DPAK
原厂封装:
TO-252-3,DPak(2 引线 + 接片),SC-63
优势价格,NGTB03N60R2DT4G的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货
NGTB03N60R2DT4G的技术资料下载
NGTB03N60R2DT4G的功能参数资料 - 安森美公司(ONSEMI)提供
制造商产品型号:NGTB03N60R2DT4G
制造商:ON安森美半导体(ONSEMI)
描述:IGBT 9A 600V DPAK
系列:晶体管 - UGBT、MOSFET - 单
产品系列:-
零件状态:有源
IGBT类型:-
电压-集射极击穿(最大值):600V
电流-集电极(Ic)(最大值):9A
电流-集电极脉冲(Icm):12A
不同Vge、Ic时Vce(on)(最大值):2.1V @ 15V,3A
功率-最大值:49W
开关能量:50J(开),27J(关)
输入类型:标准
栅极电荷:17nC
25°C时Td(开/关)值:27ns/59ns
测试条件:300V,3A,30 欧姆,15V
反向恢复时间(trr):65ns
工作温度:175°C(TJ)
安装类型:表面贴装型
封装:TO-252-3,DPak(2 引线 + 接片),SC-63
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