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NGTB03N60R2DT4G的图片

NGTB03N60R2DT4G

IGBT - 单路

制造厂商：安森美半导体(ON Semiconductor)

功能简述：IGBT 9A 600V DPAK

原厂封装：TO-252-3，DPak

优势价格，NGTB03N60R2DT4G的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货

NGTB03N60R2DT4G的技术资料下载

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NGTB03N60R2DT4G的功能参数资料 - 安森美(ON)提供

ON安森美标准型号: NGTB03N60R2DT4G

制造厂家名称: ON Semiconductor

功能总体简述: IGBT 9A 600V DPAK

系列: -

IGBT 类型: -

电压 - 集射极击穿（最大值）: 600V

电流 - 集电极（Ic）（最大值）: 9A

脉冲电流 - 集电极 (Icm): 12A

不同 Vge，Ic 时的 Vce（on）: 2.1V @ 15V，3A

功率 - 最大值: 49W

开关能量: 50μJ（开），27μJ（关）

输入类型: 标准

栅极电荷: 17nC

25°C 时 Td（开/关）值: 27ns/59ns

测试条件: 300V，3A，30 欧姆，15V

反向恢复时间（trr）: 65ns

ON安森美封装: TO-252-3，DPak（2 引线+接片），SC-63

安装类型: 表面贴装

器件封装: DPAK

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