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NGB8207BNT4G
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NGB8207BNT4G技术资料
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NGB8207BNT4G
单路IGBT
制造厂商:
安森美(ONSEMI)
功能简述:
IGBT 365V 20A 165W D2PAK3
原厂封装:
D2PAK
优势价格,NGB8207BNT4G的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货
NGB8207BNT4G的技术资料下载
NGB8207BNT4G的功能参数资料 - 安森美公司(ONSEMI)提供
制造商产品型号:NGB8207BNT4G
制造商:ON安森美半导体(ONSEMI)
描述:IGBT 365V 20A 165W D2PAK3
系列:-
IGBT 类型:-
电压 - 集射极击穿(最大值):365V
电流 - 集电极 (Ic)(最大值):20A
Current - Collector Pulsed (Icm):50A
不同 Vge、Ic 时的 Vce(on):2.6V @ 4V,20A
功率 - 最大值:165W
Switching Energy:-
输入类型:逻辑
Gate Charge:-
25°C 时 Td(开/关)值:-
Test Condition:-
反向恢复时间 (trr):-
产品封装:TO-263-3,D2Pak(2 引线+接片),TO-263AB
安装类型:表面贴装
供应商器件封装:D2PAK
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