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NGB8206N的图片

NGB8206N

晶体管 - UGBT、MOSFET - 单

制造厂商：安森美(ONSEMI)

功能简述：IGBT 390V 20A 150W D2PAK

原厂封装：TO-263-3，D2Pak（2 引线 + 接片），TO-263AB

优势价格，NGB8206N的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货

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NGB8206N的功能参数资料 - 安森美公司(ONSEMI)提供

制造商产品型号：NGB8206N

制造商：ON安森美半导体（ONSEMI）

描述：IGBT 390V 20A 150W D2PAK

系列：晶体管 - UGBT、MOSFET - 单

产品系列：-

零件状态：停产

IGBT类型：-

电压-集射极击穿（最大值）：390V

电流-集电极(Ic)（最大值）：20A

电流-集电极脉冲(Icm)：50A

不同?Vge、Ic时?Vce(on)（最大值）：1.9V @ 4.5V，20A

功率-最大值：150W

开关能量：-

输入类型：逻辑

栅极电荷：-

25°C时Td（开/关）值：-/5μs

测试条件：300V，9A，1 千欧，5V

反向恢复时间(trr)：-

工作温度：-55°C ~ 175°C（TJ）

安装类型：表面贴装型

封装：TO-263-3，D2Pak（2 引线 + 接片），TO-263AB

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单

NGB8202ANT4G

温度传感器 - 温控器 - 固态

NCT65DMR2G

KAF-50100-ABA-JP-BA

图像传感器、摄像头

KAF-50100-ABA-JP-BA

逻辑 - 栅极和逆变器

CD4049UBCMX

逻辑 - 缓冲器，驱动器，接收器，收发器

74VHCT541AN

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