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NDS356P的图片

NDS356P

晶体管 - FET，MOSFET - 单个

制造厂商：安森美(ONSEMI)

功能简述：MOSFET P-CH 20V 1.1A SUPERSOT3

原厂封装：SuperSOT-3

优势价格，NDS356P的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货

NDS356P的技术资料下载

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NDS356P的功能参数资料 - 安森美公司(ONSEMI)提供

制造商产品型号：NDS356P

制造商：ON安森美半导体（ONSEMI）

描述：MOSFET P-CH 20V 1.1A SUPERSOT3

系列：晶体管 - FET，MOSFET - 单个

产品系列：-

零件状态：停产

FET类型：P 通道

技术：MOSFET（金属氧化物）

漏源电压（Vdss）：20V

25°C时电流-连续漏极(Id)：1.1A（Ta）

驱动电压（最大RdsOn，最小RdsOn）：4.5V，10V

不同Id、Vgs时导通电阻（最大值）：210 毫欧 @ 1.3A，10V

不同Id时Vgs(th)（最大值）：2.5V @ 250μA

不同Vgs时栅极电荷?(Qg)（最大值）：5nC @ 5V

Vgs（最大值）：±12V

不同Vds时输入电容(Ciss)（最大值）：180pF @ 10V

FET功能：-

功率耗散（最大值）：500mW（Ta）

工作温度：-55°C ~ 150°C（TJ）

安装类型：表面贴装型

器件封装：SuperSOT-3

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