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NDD60N550U1-1G
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NDD60N550U1-1G价格
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NDD60N550U1-1G技术资料
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NDD60N550U1-1G
FET - 单
制造厂商：
安森美半导体(ON Semiconductor)
功能简述：
MOSFET N-CH 600V 8.2A IPAK-4
原厂封装：
TO-251-3
优势价格，NDD60N550U1-1G的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货
NDD60N550U1-1G的技术资料下载
NDD60N550U1-1G的功能参数资料 - 安森美(ON)提供
ON安森美标准型号: NDD60N550U1-1G
制造厂家名称: ON Semiconductor
功能总体简述: MOSFET N-CH 600V 8.2A IPAK-4
系列: -
FET 类型: MOSFET N 通道，金属氧化物
FET 功能: 标准
漏源极电压（Vdss）: 600V
电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）: 8.2A（Tc）
不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）: 550 毫欧 @ 4A，10V
不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）: 4V @ 250μA
不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）: 18nC @ 10V
不同 Vds 时的输入电容（Ciss）: 540pF @ 50V
功率 - 最大值: 94W
安装类型: 通孔
ON安森美封装: TO-251-3 短引线，IPak，TO-251AA
器件封装: IPAK（TO-251）
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