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NDD03N40Z-1G
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NDD03N40Z-1G价格
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NDD03N40Z-1G技术资料
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NDD03N40Z-1G
晶体管 - FET，MOSFET - 单个
制造厂商：
安森美(ONSEMI)
功能简述：
MOSFET N-CH 400V 2.1A IPAK
原厂封装：
IPAK（TO-251）
优势价格，NDD03N40Z-1G的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货
NDD03N40Z-1G的技术资料下载
NDD03N40Z-1G的功能参数资料 - 安森美公司(ONSEMI)提供
制造商产品型号：NDD03N40Z-1G
制造商：ON安森美半导体（ONSEMI）
描述：MOSFET N-CH 400V 2.1A IPAK
系列：晶体管 - FET，MOSFET - 单个
产品系列：-
零件状态：停产
FET类型：N 通道
技术：MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）：400V
25°C时电流-连续漏极(Id)：2.1A（Tc）
驱动电压（最大RdsOn，最小RdsOn）：10V
不同Id、Vgs时导通电阻（最大值）：3.4 欧姆 @ 600mA，10V
不同Id时Vgs(th)（最大值）：4.5V @ 50μA
不同Vgs时栅极电荷?(Qg)（最大值）：6.6nC @ 10V
Vgs（最大值）：±30V
不同Vds时输入电容(Ciss)（最大值）：140pF @ 50V
FET功能：-
功率耗散（最大值）：37W（Tc）
工作温度：-55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型：通孔
器件封装：IPAK（TO-251）
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