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NDBA100N10BT4H
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NDBA100N10BT4H价格
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NDBA100N10BT4H技术资料
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NDBA100N10BT4H
晶体管 - FET，MOSFET - 单个
制造厂商：
安森美(ONSEMI)
功能简述：
MOSFET N-CH 100V 100A D2PAK
原厂封装：
D2PAK（TO-263）
优势价格，NDBA100N10BT4H的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货
NDBA100N10BT4H的技术资料下载
NDBA100N10BT4H的功能参数资料 - 安森美公司(ONSEMI)提供
制造商产品型号：NDBA100N10BT4H
制造商：ON安森美半导体（ONSEMI）
描述：MOSFET N-CH 100V 100A D2PAK
系列：晶体管 - FET，MOSFET - 单个
产品系列：-
零件状态：停产
FET类型：N 通道
技术：MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）：100V
25°C时电流-连续漏极(Id)：100A（Ta）
驱动电压（最大RdsOn，最小RdsOn）：10V，15V
不同Id、Vgs时导通电阻（最大值）：6.9 毫欧 @ 50A，15V
不同Id时Vgs(th)（最大值）：4V @ 1mA
不同Vgs时栅极电荷?(Qg)（最大值）：35nC @ 10V
Vgs（最大值）：±20V
不同Vds时输入电容(Ciss)（最大值）：2950pF @ 50V
FET功能：-
功率耗散（最大值）：110W（Tc）
工作温度：175°C（TJ）
安装类型：表面贴装型
器件封装：D2PAK（TO-263）
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NDBA180N10BT4H
晶
HUFA75329D3ST
晶体管 - FET，MOSFET - 单个
MC10EP35DT
逻辑 - 触发器
NCP305LSQ22T1G
电源管理IC - 监控器
74ACQ574SJ
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