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NCV57080ADR2G
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NCV57080ADR2G技术资料
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NCV57080ADR2G
隔离器 - 栅极驱动器
制造厂商：
安森美(ONSEMI)
功能简述：
ISOLATED HIGH CURRENT GATE DRIVE
原厂封装：
8-SOIC（0.154，3.90mm 宽）
优势价格，NCV57080ADR2G的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货
NCV57080ADR2G的技术资料下载
NCV57080ADR2G的功能参数资料 - 安森美公司(ONSEMI)提供
制造商产品型号：NCV57080ADR2G
制造商：ON安森美半导体（ONSEMI）
描述：ISOLATED HIGH CURRENT GATE DRIVE
系列：隔离器 - 栅极驱动器
产品系列：Automotive, AEC-Q100
零件状态：有源
技术：容性耦合
通道数：1
电压-隔离：1200Vrms
共模瞬变抗扰度（最小值）：100kV/μs
传播延迟tpLH/tpHL（最大值）：85ns，85ns
脉宽失真（最大）：-
上升/下降时间（典型值）：13ns，13ns
电流-输出高、低：8A，8A
电流-峰值输出：8A
电压-正向(Vf)（典型值）：-
电流-DC正向(If)（最大值）：-
电压-?输出供电：0V ~ 32V
工作温度：-40°C ~ 125°C（TA）
安装类型：表面贴装型
封装：8-SOIC（0.154，3.90mm 宽）
供应商器件封装：8-SOIC
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