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NCV57080ADR2G
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NCV57080ADR2G技术资料
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NCV57080ADR2G
隔离器 - 栅极驱动器
制造厂商:
安森美(ONSEMI)
功能简述:
ISOLATED HIGH CURRENT GATE DRIVE
原厂封装:
8-SOIC(0.154,3.90mm 宽)
优势价格,NCV57080ADR2G的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货
NCV57080ADR2G的技术资料下载
NCV57080ADR2G的功能参数资料 - 安森美公司(ONSEMI)提供
制造商产品型号:NCV57080ADR2G
制造商:ON安森美半导体(ONSEMI)
描述:ISOLATED HIGH CURRENT GATE DRIVE
系列:隔离器 - 栅极驱动器
产品系列:Automotive, AEC-Q100
零件状态:有源
技术:容性耦合
通道数:1
电压-隔离:1200Vrms
共模瞬变抗扰度(最小值):100kV/s
传播延迟tpLH/tpHL(最大值):85ns,85ns
脉宽失真(最大):-
上升/下降时间(典型值):13ns,13ns
电流-输出高、低:8A,8A
电流-峰值输出:8A
电压-正向(Vf)(典型值):-
电流-DC正向(If)(最大值):-
电压-输出供电:0V ~ 32V
工作温度:-40°C ~ 125°C(TA)
安装类型:表面贴装型
封装:8-SOIC(0.154,3.90mm 宽)
供应商器件封装:8-SOIC
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