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NCV5701ADR2G
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NCV5701ADR2G技术资料
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NCV5701ADR2G
电源管理IC - 栅极驱动器
制造厂商:
安森美(ONSEMI)
功能简述:
IC GATE DRVR HI/LOW SIDE 8SOIC
原厂封装:
8-SOIC(0.154,3.90mm 宽)
优势价格,NCV5701ADR2G的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货
NCV5701ADR2G的技术资料下载
NCV5701ADR2G的功能参数资料 - 安森美公司(ONSEMI)提供
制造商产品型号:NCV5701ADR2G
制造商:ON安森美半导体(ONSEMI)
描述:IC GATE DRVR HI/LOW SIDE 8SOIC
产品系列:电源管理IC - 栅极驱动器
包装:卷带(TR)
系列:-
零件状态:有源
驱动配置:高压侧或低压侧
通道类型:单路
驱动器数:1
栅极类型:IGBT
电压-供电:20V
逻辑电压?-VIL,VIH:0.75V,4.3V
电流-峰值输出(灌入,拉出):20mA,15mA
输入类型:反相
高压侧电压-最大值(自举):-
上升/下降时间(典型值):9.2ns,7.9ns
工作温度:-40°C ~ 125°C(TA)
安装类型:表面贴装型
产品封装:8-SOIC(0.154,3.90mm 宽)
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