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NCV57001FDWR2G
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NCV57001FDWR2G技术资料
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NCV57001FDWR2G
隔离器 - 栅极驱动器
制造厂商:
安森美(ONSEMI)
功能简述:
ISOLATED HIGH CURRENT AND HIGH E
原厂封装:
16-SOIC(0.295,7.50mm 宽)
优势价格,NCV57001FDWR2G的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货
NCV57001FDWR2G的技术资料下载
NCV57001FDWR2G的功能参数资料 - 安森美公司(ONSEMI)提供
制造商产品型号:NCV57001FDWR2G
制造商:ON安森美半导体(ONSEMI)
描述:ISOLATED HIGH CURRENT AND HIGH E
系列:隔离器 - 栅极驱动器
产品系列:Automotive, AEC-Q100
零件状态:有源
技术:容性耦合
通道数:1
电压-隔离:1200Vrms
共模瞬变抗扰度(最小值):100kV/μs
传播延迟tpLH/tpHL(最大值):90ns,90ns
脉宽失真(最大):15ns
上升/下降时间(典型值):14ns,19ns
电流-输出高、低:7.8A,7.1A
电流-峰值输出:6A
电压-正向(Vf)(典型值):-
电流-DC正向(If)(最大值):-
电压-?输出供电:0V ~ 24V
工作温度:-40°C ~ 125°C(TA)
安装类型:表面贴装型
封装:16-SOIC(0.295,7.50mm 宽)
供应商器件封装:16-SOIC
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