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NCS20082DR2G
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NCS20082DR2G技术资料
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NCS20082DR2G
线性器件 - 放大器 - 仪器、运算放大器、缓冲放大器
制造厂商:
安森美(ONSEMI)
功能简述:
IC OPAMP GP 2 CIRCUIT 8SOIC
原厂封装:
8-SOIC(0.154,3.90mm 宽)
优势价格,NCS20082DR2G的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货
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NCS20082DR2G的功能参数资料 - 安森美公司(ONSEMI)提供
制造商产品型号:NCS20082DR2G
制造商:ON安森美半导体(ONSEMI)
描述:IC OPAMP GP 2 CIRCUIT 8SOIC
产品系列:线性器件 - 放大器 - 仪器、运算放大器、缓冲放大器
包装:卷带(TR),剪切带(CT)
系列:-
零件状态:有源
放大器类型:通用
电路数:2
输出类型:满摆幅
压摆率:0.4V/μs
增益带宽积:1.2MHz
-3db带宽:-
电流-输入偏置:1pA
电压-输入补偿:500μV
电流-供电:48μA(x2 通道)
电流-输出/通道:15mA
电压-供电,单/双?(±):1.8V ~ 5.5V
工作温度:-40°C ~ 125°C(TA)
安装类型:表面贴装型
产品封装:8-SOIC(0.154,3.90mm 宽)
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