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N21C21ASNDT3G
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N21C21ASNDT3G技术资料
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N21C21ASNDT3G
存储器
制造厂商:
安森美(ONSEMI)
功能简述:
IC EPROM 1KBIT 1-WIRE SOT23-3
原厂封装:
TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
优势价格,N21C21ASNDT3G的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货
N21C21ASNDT3G的技术资料下载
N21C21ASNDT3G的功能参数资料 - 安森美公司(ONSEMI)提供
制造商产品型号:N21C21ASNDT3G
制造商:ON安森美半导体(ONSEMI)
描述:IC EPROM 1KBIT 1-WIRE SOT23-3
产品系列:存储器
包装:卷带(TR)
系列:-
零件状态:有源
存储器类型:非易失
存储器格式:EPROM
技术:EPROM - OTP
存储容量:1Kb(128 x 8)
存储器接口:1-Wire
时钟频率:-
写周期时间-字,页:5s
访问时间:-
电压-供电:2.65V ~ 5.5V
工作温度:-40°C ~ 85°C(TA)
安装类型:表面贴装型
产品封装:TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
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