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N21C21ASNDT3G
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N21C21ASNDT3G
存储器
制造厂商：
安森美(ONSEMI)
功能简述：
IC EPROM 1KBIT 1-WIRE SOT23-3
原厂封装：
TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
优势价格，N21C21ASNDT3G的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货
N21C21ASNDT3G的技术资料下载
N21C21ASNDT3G的功能参数资料 - 安森美公司(ONSEMI)提供
制造商产品型号：N21C21ASNDT3G
制造商：ON安森美半导体（ONSEMI）
描述：IC EPROM 1KBIT 1-WIRE SOT23-3
产品系列：存储器
包装：卷带（TR）
系列：-
零件状态：有源
存储器类型：非易失
存储器格式：EPROM
技术：EPROM - OTP
存储容量：1Kb（128 x 8）
存储器接口：1-Wire?
时钟频率：-
写周期时间-字，页：5μs
访问时间：-
电压-供电：2.65V ~ 5.5V
工作温度：-40°C ~ 85°C（TA）
安装类型：表面贴装型
产品封装：TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
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