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    MVB50P03HDLT4G的图片

    MVB50P03HDLT4G

    安森美(ONSEMI)图标
    晶体管 - FET，MOSFET - 单个
    制造厂商：安森美(ONSEMI)
    功能简述：MOSFET P-CH 30V 50A D2PAK-3
    原厂封装：D2PAK-3
    优势价格，MVB50P03HDLT4G的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货
    MVB50P03HDLT4G的技术资料下载
    电话询问价格
    MVB50P03HDLT4G的功能参数资料 - 安森美公司(ONSEMI)提供
  • 制造商产品型号：MVB50P03HDLT4G
  • 制造商：ON安森美半导体（ONSEMI）
  • 描述：MOSFET P-CH 30V 50A D2PAK-3
  • 系列：晶体管 - FET，MOSFET - 单个
  • 产品系列：Automotive, AEC-Q101
  • 零件状态：停产
  • FET类型：P 通道
  • 技术：MOSFET（金属氧化物）
  • 漏源电压（Vdss）：30V
  • 25°C时电流-连续漏极(Id)：50A（Tc）
  • 驱动电压（最大RdsOn，最小RdsOn）：5V
  • 不同Id、Vgs时导通电阻（最大值）：25 毫欧 @ 25A，5V
  • 不同Id时Vgs(th)（最大值）：2V @ 250μA
  • 不同Vgs时栅极电荷?(Qg)（最大值）：100nC @ 5V
  • Vgs（最大值）：±15V
  • 不同Vds时输入电容(Ciss)（最大值）：4.9nF @ 25V
  • FET功能：-
  • 功率耗散（最大值）：125W（Tc）
  • 工作温度：-55°C ~ 150°C（TJ）
  • 安装类型：表面贴装型
  • 器件封装：D2PAK-3
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