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MUN5316DW1T1
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MUN5316DW1T1
晶体管 - 双极（BJT）- 阵列 - 预偏置
制造厂商：
安森美(ONSEMI)
功能简述：
TRANS PREBIAS NPN/PNP SOT363
原厂封装：
6-TSSOP，SC-88，SOT-363
优势价格，MUN5316DW1T1的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货
MUN5316DW1T1的技术资料下载
MUN5316DW1T1的功能参数资料 - 安森美公司(ONSEMI)提供
制造商产品型号：MUN5316DW1T1
制造商：ON安森美半导体（ONSEMI）
描述：TRANS PREBIAS NPN/PNP SOT363
系列：晶体管 - 双极（BJT）- 阵列 - 预偏置
零件状态：停产
晶体管类型：1 个 NPN，1 个 PNP - 预偏压式（双）
电流-集电极(Ic)（最大值）：100mA
电压-集射极击穿（最大值）：50V
电阻器-基极(R1)：4.7 千欧
电阻器-发射极(R2)：-
不同?Ic、Vce?时DC电流增益(hFE)（最小值）：160 @ 5mA，10V
不同?Ib、Ic时?Vce饱和压降（最大值）：250mV @ 1mA，10mA
电流-集电极截止（最大值）：500nA
频率-跃迁：-
功率-最大值：250mW
安装类型：表面贴装型
封装：6-TSSOP，SC-88，SOT-363
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