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    MUN5312DW1T2G的图片

    MUN5312DW1T2G

    安森美(ONSEMI)图标
    晶体管 - 双极（BJT）- 阵列 - 预偏置
    制造厂商：安森美(ONSEMI)
    功能简述：TRANS NPN/PNP PREBIAS SOT363
    原厂封装：6-TSSOP，SC-88，SOT-363
    优势价格，MUN5312DW1T2G的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货
    MUN5312DW1T2G的技术资料下载
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    MUN5312DW1T2G的功能参数资料 - 安森美公司(ONSEMI)提供
  • 制造商产品型号：MUN5312DW1T2G
  • 制造商：ON安森美半导体（ONSEMI）
  • 描述：TRANS NPN/PNP PREBIAS SOT363
  • 系列：晶体管 - 双极（BJT）- 阵列 - 预偏置
  • 零件状态：有源
  • 晶体管类型：1 个 NPN，1 个 PNP - 预偏压式（双）
  • 电流-集电极(Ic)（最大值）：100mA
  • 电压-集射极击穿（最大值）：50V
  • 电阻器-基极(R1)：22 千欧
  • 电阻器-发射极(R2)：22 千欧
  • 不同?Ic、Vce?时DC电流增益(hFE)（最小值）：60 @ 5mA，10V
  • 不同?Ib、Ic时?Vce饱和压降（最大值）：250mV @ 300μA，10mA
  • 电流-集电极截止（最大值）：500nA
  • 频率-跃迁：-
  • 功率-最大值：385mW
  • 安装类型：表面贴装型
  • 封装：6-TSSOP，SC-88，SOT-363
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