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MUN5113DW1T1G

安森美(ONSEMI)图标
晶体管 - 双极（BJT）- 阵列 - 预偏置
制造厂商：安森美(ONSEMI)
功能简述：TRANS 2PNP PREBIAS 0.25W SOT363
原厂封装：-
优势价格，MUN5113DW1T1G的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货
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MUN5113DW1T1G的功能参数资料 - 安森美公司(ONSEMI)提供
  • 制造商产品型号：MUN5113DW1T1G
  • 制造商：ON安森美半导体（ONSEMI）
  • 描述：TRANS 2PNP PREBIAS 0.25W SOT363
  • 系列：晶体管 - 双极（BJT）- 阵列 - 预偏置
  • 零件状态：停产
  • 晶体管类型：-
  • 电流-集电极(Ic)（最大值）：-
  • 电压-集射极击穿（最大值）：-
  • 电阻器-基极(R1)：-
  • 电阻器-发射极(R2)：-
  • 不同Ic、Vce时DC电流增益(hFE)（最小值）：-
  • 不同Ib、Ic时Vce饱和压降（最大值）：-
  • 电流-集电极截止（最大值）：-
  • 频率-跃迁：-
  • 功率-最大值：-
  • 安装类型：-
  • 封装：-
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