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MUN5113DW1T1G

晶体管 - 双极（BJT）- 阵列 - 预偏置

制造厂商：安森美(ONSEMI)

功能简述：TRANS 2PNP PREBIAS 0.25W SOT363

原厂封装：-

优势价格，MUN5113DW1T1G的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货

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MUN5113DW1T1G的功能参数资料 - 安森美公司(ONSEMI)提供

制造商产品型号：MUN5113DW1T1G

制造商：ON安森美半导体（ONSEMI）

描述：TRANS 2PNP PREBIAS 0.25W SOT363

系列：晶体管 - 双极（BJT）- 阵列 - 预偏置

零件状态：停产

晶体管类型：-

电流-集电极(Ic)（最大值）：-

电压-集射极击穿（最大值）：-

电阻器-基极(R1)：-

电阻器-发射极(R2)：-

不同?Ic、Vce?时DC电流增益(hFE)（最小值）：-

不同?Ib、Ic时?Vce饱和压降（最大值）：-

电流-集电极截止（最大值）：-

频率-跃迁：-

功率-最大值：-

安装类型：-

封装：-

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