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MMDF2N02ER2G
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MMDF2N02ER2G技术资料
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MMDF2N02ER2G
场效应管阵列
制造厂商:
安森美半导体(ON Semiconductor)
功能简述:
MOSFET 2N-CH 25V 3.6A 8-SOIC
原厂封装:
8-SOIC
优势价格,MMDF2N02ER2G的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货
MMDF2N02ER2G的技术资料下载
MMDF2N02ER2G的功能参数资料 - 安森美(ON)提供
ON安森美标准型号:MMDF2N02ER2G
制造厂家名称:ON Semiconductor
描述:MOSFET 2N-CH 25V 3.6A 8-SOIC
系列:-
FET 类型:2 个 N 沟道(双)
FET 功能:逻辑电平门
漏源极电压 (Vdss):25V
电流 - 连续漏极 (Id)(25°C 时):3.6A
不同 Id、Vgs 时的 Rds On(最大值):100 毫欧 @ 2.2A,10V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):3V @ 250μA
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg):30nC @ 10V
不同 Vds 时的输入电容 (Ciss):532pF @ 16V
功率 - 最大值:2W
安装类型:表面贴装
ON安森美封装:8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)
器件封装:8-SOIC N
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