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MMBTH10M3T5G
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MMBTH10M3T5G技术资料
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MMBTH10M3T5G
晶体管 - 双极(BJT)- 射频
制造厂商:
安森美(ONSEMI)
功能简述:
RF TRANS NPN 25V 650MHZ SOT723
原厂封装:
SOT-723
优势价格,MMBTH10M3T5G的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货
MMBTH10M3T5G的技术资料下载
MMBTH10M3T5G的功能参数资料 - 安森美公司(ONSEMI)提供
制造商产品型号:MMBTH10M3T5G
制造商:ON安森美半导体(ONSEMI)
描述:RF TRANS NPN 25V 650MHZ SOT723
系列:晶体管 - 双极(BJT)- 射频
零件状态:有源
晶体管类型:NPN
电压-集射极击穿(最大值):25V
频率-跃迁:650MHz
噪声系数(dB,不同f时的典型值):-
增益:-
功率-最大值:265mW
不同?Ic、Vce?时DC电流增益(hFE)(最小值):60 @ 4mA,10V
电流-集电极(Ic)(最大值):-
工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ)
安装类型:表面贴装型
封装:SOT-723
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