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MMBFJ111
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MMBFJ111技术资料
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MMBFJ111
晶体管 - JFET
制造厂商:
安森美(ONSEMI)
功能简述:
JFET N-CH 35V 350MW SOT23-3
原厂封装:
TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
优势价格,MMBFJ111的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货
MMBFJ111的技术资料下载
MMBFJ111的功能参数资料 - 安森美公司(ONSEMI)提供
制造商产品型号:MMBFJ111
制造商:ON安森美半导体(ONSEMI)
描述:JFET N-CH 35V 350MW SOT23-3
系列:晶体管 - JFET
零件状态:有源
FET类型:N 通道
电压-击穿(V(BR)GSS):35V
漏源电压(Vdss):-
不同Vds(Vgs=0)时电流-漏极(Idss):20mA @ 15V
漏极电流(Id)-最大值:-
不同Id时电压-截止(VGSoff):3V @ 1μA
不同Vds时输入电容(Ciss)(最大值):-
电阻-RDS(On):30 Ohms
功率-最大值:350mW
工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ)
安装类型:表面贴装型
封装:TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
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