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MCR08BT1G
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MCR08BT1G技术资料
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MCR08BT1G
单个SCR
制造厂商:
安森美(ONSEMI)
功能简述:
THYRISTOR SCR 0.8A 200V SOT223
原厂封装:
SOT-223
优势价格,MCR08BT1G的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货
MCR08BT1G的技术资料下载
MCR08BT1G的功能参数资料 - 安森美公司(ONSEMI)提供
制造商产品型号:MCR08BT1G
制造商:ON安森美半导体(ONSEMI)
描述:THYRISTOR SCR 0.8A 200V SOT223
系列:-
电压 - 断态:200V
电压 - 栅极触发 (Vgt)(最大值):800mV
电流 - 栅极触发 (Igt)(最大值):200μA
电压 - 通态 (Vtm)(最大值):1.7V
电流 - 通态 (It (AV))(最大值):-
电流 - 通态 (It (RMS))(最大值):800mA
电流 - 保持 (Ih)(最大值):5mA
电流 - 断态(最大值):10μA
电流 - 不重复浪涌 50、60Hz (Itsm):8A @ 60Hz
SCR 类型:灵敏栅极
工作温度:-40°C ~ 110°C
安装类型:表面贴装
产品封装:TO-261-4,TO-261AA
供应商器件封装:SOT-223
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