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MCH6626-TL-E的图片

MCH6626-TL-E

FET - 阵列

制造厂商：安森美(ONSEMI)

功能简述：MOSFET N/P-CH 20V 1.6A/1A MCPH6

原厂封装：6-SMD

优势价格，MCH6626-TL-E的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货

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MCH6626-TL-E的功能参数资料 - 安森美公司(ONSEMI)提供

制造商产品型号: MCH6626-TL-E

制造商：ON安森美半导体（ONSEMI）

功能总体简述: MOSFET N/P-CH 20V 1.6A/1A MCPH6

系列: -

FET 类型: N 和 P 沟道

FET 功能: 逻辑电平门

漏源极电压（Vdss）: 20V

电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）: 1.6A，1A

不同 Id，Vgs 时的 Rds On（最大值）: 230 毫欧 @ 800mA，4V

不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）: -

不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）: 1.4nC @ 4V

不同 Vds 时的输入电容（Ciss）: 105pF @ 10V

功率 - 最大值: 800mW

安装类型: 表面贴装

产品封装: 6-SMD，扁平引线

供应商器件封装: 6-MCPH

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