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MCH6626-TL-E
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MCH6626-TL-E价格
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MCH6626-TL-E技术资料
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MCH6626-TL-E
FET - 阵列
制造厂商:
安森美半导体(ON Semiconductor)
功能简述:
MOSFET N/P-CH 20V 1.6A/1A MCPH6
原厂封装:
6-SMD
优势价格,MCH6626-TL-E的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货
MCH6626-TL-E的技术资料下载
MCH6626-TL-E的功能参数资料 - 安森美(ON)提供
ON安森美标准型号: MCH6626-TL-E
制造厂家名称: SANYO Semiconductor(已被安森美收购)
功能总体简述: MOSFET N/P-CH 20V 1.6A/1A MCPH6
系列: -
FET 类型: N 和 P 沟道
FET 功能: 逻辑电平门
漏源极电压(Vdss): 20V
电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时): 1.6A,1A
不同 Id,Vgs 时的 Rds On(最大值): 230 毫欧 @ 800mA,4V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值): -
不同 Vgs 时的栅极电荷(Qg): 1.4nC @ 4V
不同 Vds 时的输入电容(Ciss): 105pF @ 10V
功率 - 最大值: 800mW
安装类型: 表面贴装
ON安森美封装: 6-SMD,扁平引线
器件封装: 6-MCPH
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