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MC1413BDR2G
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MC1413BDR2G技术资料
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MC1413BDR2G
晶体管 - 双极性晶体管(BJT)- 阵列
制造厂商:
安森美(ONSEMI)
功能简述:
TRANS 7NPN DARL 50V 0.5A 16SOIC
原厂封装:
16-SOIC(0.154,3.90mm 宽)
优势价格,MC1413BDR2G的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货
MC1413BDR2G的技术资料下载
MC1413BDR2G的功能参数资料 - 安森美公司(ONSEMI)提供
制造商产品型号:MC1413BDR2G
制造商:ON安森美半导体(ONSEMI)
描述:TRANS 7NPN DARL 50V 0.5A 16SOIC
系列:晶体管 - 双极性晶体管(BJT)- 阵列
零件状态:有源
晶体管类型:7 NPN 达林顿
电流-集电极(Ic)(最大值):500mA
电压-集射极击穿(最大值):50V
不同?Ib、Ic时?Vce饱和压降(最大值):1.6V @ 500μA,350mA
电流-集电极截止(最大值):-
不同?Ic、Vce?时DC电流增益(hFE)(最小值):1000 @ 350mA,2V
功率-最大值:-
频率-跃迁:-
工作温度:150°C(TJ)
安装类型:表面贴装型
封装:16-SOIC(0.154,3.90mm 宽)
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