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HUF76009D3ST
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HUF76009D3ST价格
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HUF76009D3ST技术资料
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HUF76009D3ST
晶体管 - FET，MOSFET - 单个
制造厂商：
安森美(ONSEMI)
功能简述：
MOSFET N-CH 20V 20A TO252AA
原厂封装：
TO-252AA
优势价格，HUF76009D3ST的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货
HUF76009D3ST的技术资料下载
HUF76009D3ST的功能参数资料 - 安森美公司(ONSEMI)提供
制造商产品型号：HUF76009D3ST
制造商：ON安森美半导体（ONSEMI）
描述：MOSFET N-CH 20V 20A TO252AA
系列：晶体管 - FET，MOSFET - 单个
产品系列：UltraFET?
零件状态：停产
FET类型：N 通道
技术：MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）：20V
25°C时电流-连续漏极(Id)：20A（Tc）
驱动电压（最大RdsOn，最小RdsOn）：5V，10V
不同Id、Vgs时导通电阻（最大值）：27 毫欧 @ 20A，10V
不同Id时Vgs(th)（最大值）：3V @ 250μA
不同Vgs时栅极电荷?(Qg)（最大值）：13nC @ 10V
Vgs（最大值）：±20V
不同Vds时输入电容(Ciss)（最大值）：470pF @ 20V
FET功能：-
功率耗散（最大值）：41W（Tc）
工作温度：-55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型：表面贴装型
器件封装：TO-252AA
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