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    HGTP10N120BN的图片

    HGTP10N120BN

    安森美(ONSEMI)图标
    晶体管 - UGBT、MOSFET - 单
    制造厂商：安森美(ONSEMI)
    功能简述：IGBT 1200V 35A 298W TO220AB
    原厂封装：TO-220-3
    优势价格，HGTP10N120BN的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货
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    HGTP10N120BN的功能参数资料 - 安森美公司(ONSEMI)提供
  • 制造商产品型号：HGTP10N120BN
  • 制造商：ON安森美半导体（ONSEMI）
  • 描述：IGBT 1200V 35A 298W TO220AB
  • 系列：晶体管 - UGBT、MOSFET - 单
  • 产品系列：-
  • 零件状态：不適用於新設計
  • IGBT类型：NPT
  • 电压-集射极击穿（最大值）：1200V
  • 电流-集电极(Ic)（最大值）：35A
  • 电流-集电极脉冲(Icm)：80A
  • 不同?Vge、Ic时?Vce(on)（最大值）：2.7V @ 15V，10A
  • 功率-最大值：298W
  • 开关能量：320μJ（开），800μJ（关）
  • 输入类型：标准
  • 栅极电荷：100nC
  • 25°C时Td（开/关）值：23ns/165ns
  • 测试条件：960V，10A，10 欧姆，15V
  • 反向恢复时间(trr)：-
  • 工作温度：-55°C ~ 150°C（TJ）
  • 安装类型：通孔
  • 封装：TO-220-3
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