安森美代理，ON代理商，安森美代理商
安森美代理商渠道，安森美芯片一站式采购平台
安森美(ONSEMI)芯片的即时报价、快速出货、无起订量
ON
  • 首页
  • ON安森美
  • 产品中心
  • 产品应用
  • 相关型号
  • 新闻与资源
  • 联系我们
    • | HGTG30N60B3D | HGTG30N60B3D价格 | HGTG30N60B3D技术资料 |
    HGTG30N60B3D的图片

    HGTG30N60B3D

    安森美(ONSEMI)图标
    晶体管 - UGBT、MOSFET - 单
    制造厂商：安森美(ONSEMI)
    功能简述：IGBT 600V 60A TO247-3
    原厂封装：TO-247-3
    优势价格，HGTG30N60B3D的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货
    HGTG30N60B3D的技术资料下载
    电话询问价格
    HGTG30N60B3D的功能参数资料 - 安森美公司(ONSEMI)提供
  • 制造商产品型号：HGTG30N60B3D
  • 制造商：ON安森美半导体（ONSEMI）
  • 描述：IGBT 600V 60A TO247-3
  • 系列：晶体管 - UGBT、MOSFET - 单
  • 产品系列：-
  • 零件状态：最後搶購
  • IGBT类型：-
  • 电压-集射极击穿（最大值）：600V
  • 电流-集电极(Ic)（最大值）：60A
  • 电流-集电极脉冲(Icm)：220A
  • 不同?Vge、Ic时?Vce(on)（最大值）：1.9V @ 15V，30A
  • 功率-最大值：208W
  • 开关能量：550μJ（开），680μJ（关）
  • 输入类型：标准
  • 栅极电荷：170nC
  • 25°C时Td（开/关）值：36ns/137ns
  • 测试条件：480V，30A，3 欧姆，15V
  • 反向恢复时间(trr)：55ns
  • 工作温度：-55°C ~ 150°C（TJ）
  • 安装类型：通孔
  • 封装：TO-247-3
  • 想获取HGTG30N60B3D的更多功能参数资料?请在本页面右侧在线下载技术资料
    • 了解更多安森美(ONSEMI)芯片的报价及技术资料
  • HGTG30N60C3D
    晶
    HGTG30N60C3D
  • KSB707YTU
    晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 单个
    KSB707YTU
  • NVMFS4C05NWFT3G
    晶体管 - FET，MOSFET - 单个
    NVMFS4C05NWFT3G
  • PN5139
    晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 单个
    PN5139
  • MPSA12_D75Z
    晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 单个
    MPSA12_D75Z
    • 安森美芯片代理的长期订单优势货源：随时现货+极具竞争力的价格
    安森美公司（ONSEMI）授权的国内安森美代理商一手货源，大小批量出货
    www.onansenmei.com