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HGTG30N60A4D
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HGTG30N60A4D价格
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HGTG30N60A4D技术资料
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HGTG30N60A4D
晶体管 - UGBT、MOSFET - 单
制造厂商:
安森美(ONSEMI)
功能简述:
IGBT 600V 75A 463W TO247
原厂封装:
TO-247-3
优势价格,HGTG30N60A4D的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货
HGTG30N60A4D的技术资料下载
HGTG30N60A4D的功能参数资料 - 安森美公司(ONSEMI)提供
制造商产品型号:HGTG30N60A4D
制造商:ON安森美半导体(ONSEMI)
描述:IGBT 600V 75A 463W TO247
系列:晶体管 - UGBT、MOSFET - 单
产品系列:-
零件状态:不適用於新設計
IGBT类型:-
电压-集射极击穿(最大值):600V
电流-集电极(Ic)(最大值):75A
电流-集电极脉冲(Icm):240A
不同?Vge、Ic时?Vce(on)(最大值):2.6V @ 15V,30A
功率-最大值:463W
开关能量:280μJ(开),240μJ(关)
输入类型:标准
栅极电荷:225nC
25°C时Td(开/关)值:25ns/150ns
测试条件:390V,30A,3 欧姆,15V
反向恢复时间(trr):55ns
工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ)
安装类型:通孔
封装:TO-247-3
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HGTG30N60B3
晶
2N5401TFR
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