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HGTG20N60B3D的图片

HGTG20N60B3D

晶体管 - UGBT、MOSFET - 单

制造厂商：安森美(ONSEMI)

功能简述：IGBT 600V 40A 165W TO247

原厂封装：TO-247-3

优势价格，HGTG20N60B3D的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货

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HGTG20N60B3D的功能参数资料 - 安森美公司(ONSEMI)提供

制造商产品型号：HGTG20N60B3D

制造商：ON安森美半导体（ONSEMI）

描述：IGBT 600V 40A 165W TO247

系列：晶体管 - UGBT、MOSFET - 单

产品系列：-

零件状态：不適用於新設計

IGBT类型：-

电压-集射极击穿（最大值）：600V

电流-集电极(Ic)（最大值）：40A

电流-集电极脉冲(Icm)：160A

不同?Vge、Ic时?Vce(on)（最大值）：2V @ 15V，20A

功率-最大值：165W

开关能量：475μJ（开），1.05mJ（关）

输入类型：标准

栅极电荷：80nC

25°C时Td（开/关）值：-

测试条件：-

反向恢复时间(trr)：55ns

工作温度：-40°C ~ 150°C（TJ）

安装类型：通孔

封装：TO-247-3

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