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HGTG11N120CN

安森美(ONSEMI)图标
晶体管 - UGBT、MOSFET - 单
制造厂商:安森美(ONSEMI)
功能简述:IGBT 1200V 43A 298W TO247
原厂封装:TO-247-3
优势价格,HGTG11N120CN的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货
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HGTG11N120CN的功能参数资料 - 安森美公司(ONSEMI)提供
  • 制造商产品型号:HGTG11N120CN
  • 制造商:ON安森美半导体(ONSEMI)
  • 描述:IGBT 1200V 43A 298W TO247
  • 系列:晶体管 - UGBT、MOSFET - 单
  • 产品系列:-
  • 零件状态:停产
  • IGBT类型:NPT
  • 电压-集射极击穿(最大值):1200V
  • 电流-集电极(Ic)(最大值):43A
  • 电流-集电极脉冲(Icm):80A
  • 不同?Vge、Ic时?Vce(on)(最大值):2.4V @ 15V,11A
  • 功率-最大值:298W
  • 开关能量:400μJ(开),1.3mJ(关)
  • 输入类型:标准
  • 栅极电荷:100nC
  • 25°C时Td(开/关)值:23ns/180ns
  • 测试条件:960V,11A,10 欧姆,15V
  • 反向恢复时间(trr):-
  • 工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ)
  • 安装类型:通孔
  • 封装:TO-247-3
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