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HGTD3N60C3S9A的图片

HGTD3N60C3S9A

晶体管 - UGBT、MOSFET - 单

制造厂商：安森美(ONSEMI)

功能简述：IGBT 600V 6A 33W TO252AA

原厂封装：TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63

优势价格，HGTD3N60C3S9A的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货

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HGTD3N60C3S9A的功能参数资料 - 安森美公司(ONSEMI)提供

制造商产品型号：HGTD3N60C3S9A

制造商：ON安森美半导体（ONSEMI）

描述：IGBT 600V 6A 33W TO252AA

系列：晶体管 - UGBT、MOSFET - 单

产品系列：-

零件状态：停产

IGBT类型：-

电压-集射极击穿（最大值）：600V

电流-集电极(Ic)（最大值）：6A

电流-集电极脉冲(Icm)：24A

不同?Vge、Ic时?Vce(on)（最大值）：2V @ 15V，3A

功率-最大值：33W

开关能量：85μJ（开），245μJ（关）

输入类型：标准

栅极电荷：10.8nC

25°C时Td（开/关）值：-

测试条件：480V，3A，82 欧姆，15V

反向恢复时间(trr)：-

工作温度：-40°C ~ 150°C（TJ）

安装类型：表面贴装型

封装：TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63

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