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HGT1S3N60A4DS9A的图片

HGT1S3N60A4DS9A

晶体管 - UGBT、MOSFET - 单

制造厂商：安森美(ONSEMI)

功能简述：IGBT 600V 17A 70W D2PAK

原厂封装：TO-263-3，D2Pak（2 引线 + 接片），TO-263AB

优势价格，HGT1S3N60A4DS9A的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货

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HGT1S3N60A4DS9A的功能参数资料 - 安森美公司(ONSEMI)提供

制造商产品型号：HGT1S3N60A4DS9A

制造商：ON安森美半导体（ONSEMI）

描述：IGBT 600V 17A 70W D2PAK

系列：晶体管 - UGBT、MOSFET - 单

产品系列：-

零件状态：停产

IGBT类型：-

电压-集射极击穿（最大值）：600V

电流-集电极(Ic)（最大值）：17A

电流-集电极脉冲(Icm)：40A

不同?Vge、Ic时?Vce(on)（最大值）：2.7V @ 15V，3A

功率-最大值：70W

开关能量：37μJ（开），25μJ（关）

输入类型：标准

栅极电荷：21nC

25°C时Td（开/关）值：6ns/73ns

测试条件：390V，3A，50 欧姆，15V

反向恢复时间(trr)：29ns

工作温度：-55°C ~ 150°C（TJ）

安装类型：表面贴装型

封装：TO-263-3，D2Pak（2 引线 + 接片），TO-263AB

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