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HGT1S2N120CN
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HGT1S2N120CN技术资料
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HGT1S2N120CN
晶体管 - UGBT、MOSFET - 单
制造厂商：
安森美(ONSEMI)
功能简述：
IGBT 1200V 13A 104W I2PAK
原厂封装：
TO-262-3，长引线，I2Pak，TO-262AA
优势价格，HGT1S2N120CN的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货
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HGT1S2N120CN的功能参数资料 - 安森美公司(ONSEMI)提供
制造商产品型号：HGT1S2N120CN
制造商：ON安森美半导体（ONSEMI）
描述：IGBT 1200V 13A 104W I2PAK
系列：晶体管 - UGBT、MOSFET - 单
产品系列：-
零件状态：停产
IGBT类型：NPT
电压-集射极击穿（最大值）：1200V
电流-集电极(Ic)（最大值）：13A
电流-集电极脉冲(Icm)：20A
不同?Vge、Ic时?Vce(on)（最大值）：2.4V @ 15V，2.6A
功率-最大值：104W
开关能量：96μJ（开），355μJ（关）
输入类型：标准
栅极电荷：30nC
25°C时Td（开/关）值：25ns/205ns
测试条件：960V，2.6A，51 欧姆，15V
反向恢复时间(trr)：-
工作温度：-55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型：通孔
封装：TO-262-3，长引线，I2Pak，TO-262AA
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