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HGT1S20N60A4S9A
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HGT1S20N60A4S9A价格
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HGT1S20N60A4S9A技术资料
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HGT1S20N60A4S9A
晶体管 - UGBT、MOSFET - 单
制造厂商：
安森美(ONSEMI)
功能简述：
IGBT 600V 70A 290W TO263AB
原厂封装：
TO-263-3，D2Pak（2 引线 + 接片），TO-263AB
优势价格，HGT1S20N60A4S9A的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货
HGT1S20N60A4S9A的技术资料下载
HGT1S20N60A4S9A的功能参数资料 - 安森美公司(ONSEMI)提供
制造商产品型号：HGT1S20N60A4S9A
制造商：ON安森美半导体（ONSEMI）
描述：IGBT 600V 70A 290W TO263AB
系列：晶体管 - UGBT、MOSFET - 单
产品系列：-
零件状态：停产
IGBT类型：-
电压-集射极击穿（最大值）：600V
电流-集电极(Ic)（最大值）：70A
电流-集电极脉冲(Icm)：280A
不同?Vge、Ic时?Vce(on)（最大值）：2.7V @ 15V，20A
功率-最大值：290W
开关能量：105μJ（开），150μJ（关）
输入类型：标准
栅极电荷：142nC
25°C时Td（开/关）值：15ns/73ns
测试条件：390V，20A，3 欧姆，15V
反向恢复时间(trr)：-
工作温度：-55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型：表面贴装型
封装：TO-263-3，D2Pak（2 引线 + 接片），TO-263AB
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