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HGT1S12N60A4S9A

安森美(ONSEMI)图标
晶体管 - UGBT、MOSFET - 单
制造厂商：安森美(ONSEMI)
功能简述：IGBT 600V 54A 167W TO263AB
原厂封装：TO-263-3，DPak（2 引线 + 接片），TO-263AB
优势价格，HGT1S12N60A4S9A的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货
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HGT1S12N60A4S9A的功能参数资料 - 安森美公司(ONSEMI)提供
  • 制造商产品型号：HGT1S12N60A4S9A
  • 制造商：ON安森美半导体（ONSEMI）
  • 描述：IGBT 600V 54A 167W TO263AB
  • 系列：晶体管 - UGBT、MOSFET - 单
  • 产品系列：-
  • 零件状态：停产
  • IGBT类型：-
  • 电压-集射极击穿（最大值）：600V
  • 电流-集电极(Ic)（最大值）：54A
  • 电流-集电极脉冲(Icm)：96A
  • 不同Vge、Ic时Vce(on)（最大值）：2.7V @ 15V，12A
  • 功率-最大值：167W
  • 开关能量：55J（开），50J（关）
  • 输入类型：标准
  • 栅极电荷：78nC
  • 25°C时Td（开/关）值：17ns/96ns
  • 测试条件：390V，12A，10 欧姆，15V
  • 反向恢复时间(trr)：-
  • 工作温度：-55°C ~ 150°C（TJ）
  • 安装类型：表面贴装型
  • 封装：TO-263-3，DPak（2 引线 + 接片），TO-263AB
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