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HGT1S12N60A4DS的图片

HGT1S12N60A4DS

晶体管 - UGBT、MOSFET - 单

制造厂商：安森美(ONSEMI)

功能简述：IGBT 600V 54A 167W D2PAK

原厂封装：TO-263-3，D2Pak（2 引线 + 接片），TO-263AB

优势价格，HGT1S12N60A4DS的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货

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HGT1S12N60A4DS的功能参数资料 - 安森美公司(ONSEMI)提供

制造商产品型号：HGT1S12N60A4DS

制造商：ON安森美半导体（ONSEMI）

描述：IGBT 600V 54A 167W D2PAK

系列：晶体管 - UGBT、MOSFET - 单

产品系列：-

零件状态：最後搶購

IGBT类型：-

电压-集射极击穿（最大值）：600V

电流-集电极(Ic)（最大值）：54A

电流-集电极脉冲(Icm)：96A

不同?Vge、Ic时?Vce(on)（最大值）：2.7V @ 15V，12A

功率-最大值：167W

开关能量：55μJ（开），50μJ（关）

输入类型：标准

栅极电荷：78nC

25°C时Td（开/关）值：17ns/96ns

测试条件：390V，12A，10 欧姆，15V

反向恢复时间(trr)：30ns

工作温度：-55°C ~ 150°C（TJ）

安装类型：表面贴装型

封装：TO-263-3，D2Pak（2 引线 + 接片），TO-263AB

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