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HGT1N40N60A4D
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HGT1N40N60A4D技术资料
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HGT1N40N60A4D
晶体管 - IGBT - 模块
制造厂商:
安森美(ONSEMI)
功能简述:
IGBT MOD 600V 110A 298W SOT227B
原厂封装:
SOT-227-4,miniBLOC
优势价格,HGT1N40N60A4D的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货
HGT1N40N60A4D的技术资料下载
HGT1N40N60A4D的功能参数资料 - 安森美公司(ONSEMI)提供
制造商产品型号:HGT1N40N60A4D
制造商:ON安森美半导体(ONSEMI)
描述:IGBT MOD 600V 110A 298W SOT227B
系列:晶体管 - IGBT - 模块
零件状态:停产
IGBT类型:-
配置:单路
电压-集射极击穿(最大值):600V
电流-集电极(Ic)(最大值):110A
功率-最大值:298W
不同?Vge、Ic时?Vce(on)(最大值):2.7V @ 15V,40A
电流-集电极截止(最大值):250μA
不同?Vce时输入电容(Cies):-
输入:标准
NTC热敏电阻:无
工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ)
安装类型:底座安装
封装:SOT-227-4,miniBLOC
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