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H11F3W
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H11F3W技术资料
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H11F3W
光隔离器 - 晶体管,光电输出
制造厂商:
安森美(ONSEMI)
功能简述:
OPTOISOLTR 5.3KV PHOTO FET 6-DIP
原厂封装:
6-DIP(0.400,10.16mm)
优势价格,H11F3W的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货
H11F3W的技术资料下载
H11F3W的功能参数资料 - 安森美公司(ONSEMI)提供
制造商产品型号:H11F3W
制造商:ON安森美半导体(ONSEMI)
描述:OPTOISOLTR 5.3KV PHOTO FET 6-DIP
系列:光隔离器 - 晶体管,光电输出
零件状态:停产
通道数:1
电压-隔离:5300Vrms
电流传输比(最小值):-
电流传输比(最大值):-
接通/关断时间(典型值):25μs,25μs(最大)
上升/下降时间(典型值):-
输入类型:DC
输出类型:MOSFET
电压-输出(最大值):15V
电流-输出/通道:-
电压-正向(Vf)(典型值):1.3V
电流-DC正向(If)(最大值):60mA
Vce饱和压降(最大):-
工作温度:-55°C ~ 100°C
安装类型:通孔
封装:6-DIP(0.400,10.16mm)
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