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FQU8P10TU
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FQU8P10TU技术资料
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FQU8P10TU
晶体管 - FET,MOSFET - 单个
制造厂商:
安森美(ONSEMI)
功能简述:
MOSFET P-CH 100V 6.6A IPAK
原厂封装:
I-PAK
优势价格,FQU8P10TU的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货
FQU8P10TU的技术资料下载
FQU8P10TU的功能参数资料 - 安森美公司(ONSEMI)提供
制造商产品型号:FQU8P10TU
制造商:ON安森美半导体(ONSEMI)
描述:MOSFET P-CH 100V 6.6A IPAK
系列:晶体管 - FET,MOSFET - 单个
产品系列:QFET
零件状态:有源
FET类型:P 通道
技术:MOSFET(金属氧化物)
漏源电压(Vdss):100V
25°C时电流-连续漏极(Id):6.6A(Tc)
驱动电压(最大RdsOn,最小RdsOn):10V
不同Id、Vgs时导通电阻(最大值):530 毫欧 @ 3.3A,10V
不同Id时Vgs(th)(最大值):4V @ 250A
不同Vgs时栅极电荷(Qg)(最大值):15nC @ 10V
Vgs(最大值):±30V
不同Vds时输入电容(Ciss)(最大值):470pF @ 25V
FET功能:-
功率耗散(最大值):2.5W(Ta),44W(Tc)
工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ)
安装类型:通孔
器件封装:I-PAK
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