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FQU10N20CTU的图片

FQU10N20CTU

安森美(ONSEMI)图标
晶体管 - FET,MOSFET - 单个
制造厂商:安森美(ONSEMI)
功能简述:MOSFET N-CH 200V 7.8A IPAK
原厂封装:I-PAK
优势价格,FQU10N20CTU的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货
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FQU10N20CTU的功能参数资料 - 安森美公司(ONSEMI)提供
  • 制造商产品型号:FQU10N20CTU
  • 制造商:ON安森美半导体(ONSEMI)
  • 描述:MOSFET N-CH 200V 7.8A IPAK
  • 系列:晶体管 - FET,MOSFET - 单个
  • 产品系列:QFET?
  • 零件状态:有源
  • FET类型:N 通道
  • 技术:MOSFET(金属氧化物)
  • 漏源电压(Vdss):200V
  • 25°C时电流-连续漏极(Id):7.8A(Tc)
  • 驱动电压(最大RdsOn,最小RdsOn):10V
  • 不同Id、Vgs时导通电阻(最大值):360 毫欧 @ 3.9A,10V
  • 不同Id时Vgs(th)(最大值):4V @ 250μA
  • 不同Vgs时栅极电荷?(Qg)(最大值):26nC @ 10V
  • Vgs(最大值):±30V
  • 不同Vds时输入电容(Ciss)(最大值):510pF @ 25V
  • FET功能:-
  • 功率耗散(最大值):50W(Tc)
  • 工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ)
  • 安装类型:通孔
  • 器件封装:I-PAK
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  • FQU10N20TU_AM002
  • 接口 - 驱动器,接收器,收发器
    NCV7440C1
  • 光隔离器 - 晶体管,光电输出
    MOC8111TM
  • 逻辑 - 缓冲器,驱动器,接收器,收发器
    MC74LCX125DTR2G
  • 二极管 - 整流器 - 单
    NRVBAF3200T3G
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