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FQI4N20LTU技术资料
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FQI4N20LTU
晶体管 - FET，MOSFET - 单个
制造厂商：
安森美(ONSEMI)
功能简述：
MOSFET N-CH 200V 3.8A I2PAK
原厂封装：
I2PAK（TO-262）
优势价格，FQI4N20LTU的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货
FQI4N20LTU的技术资料下载
FQI4N20LTU的功能参数资料 - 安森美公司(ONSEMI)提供
制造商产品型号：FQI4N20LTU
制造商：ON安森美半导体（ONSEMI）
描述：MOSFET N-CH 200V 3.8A I2PAK
系列：晶体管 - FET，MOSFET - 单个
产品系列：QFET?
零件状态：停产
FET类型：N 通道
技术：MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）：200V
25°C时电流-连续漏极(Id)：3.8A（Tc）
驱动电压（最大RdsOn，最小RdsOn）：5V，10V
不同Id、Vgs时导通电阻（最大值）：1.35 欧姆 @ 1.9A，10V
不同Id时Vgs(th)（最大值）：2V @ 250μA
不同Vgs时栅极电荷?(Qg)（最大值）：5.2nC @ 5V
Vgs（最大值）：±20V
不同Vds时输入电容(Ciss)（最大值）：310pF @ 25V
FET功能：-
功率耗散（最大值）：3.13W（Ta），45W（Tc）
工作温度：-55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型：通孔
器件封装：I2PAK（TO-262）
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