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FQI12N50TU
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FQI12N50TU技术资料
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FQI12N50TU
晶体管 - FET,MOSFET - 单个
制造厂商:
安森美(ONSEMI)
功能简述:
MOSFET N-CH 500V 12.1A I2PAK
原厂封装:
I2PAK(TO-262)
优势价格,FQI12N50TU的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货
FQI12N50TU的技术资料下载
FQI12N50TU的功能参数资料 - 安森美公司(ONSEMI)提供
制造商产品型号:FQI12N50TU
制造商:ON安森美半导体(ONSEMI)
描述:MOSFET N-CH 500V 12.1A I2PAK
系列:晶体管 - FET,MOSFET - 单个
产品系列:QFET?
零件状态:停产
FET类型:N 通道
技术:MOSFET(金属氧化物)
漏源电压(Vdss):500V
25°C时电流-连续漏极(Id):12.1A(Tc)
驱动电压(最大RdsOn,最小RdsOn):10V
不同Id、Vgs时导通电阻(最大值):490 毫欧 @ 6.05A,10V
不同Id时Vgs(th)(最大值):5V @ 250μA
不同Vgs时栅极电荷?(Qg)(最大值):51nC @ 10V
Vgs(最大值):±30V
不同Vds时输入电容(Ciss)(最大值):2020pF @ 25V
FET功能:-
功率耗散(最大值):3.13W(Ta),179W(Tc)
工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ)
安装类型:通孔
器件封装:I2PAK(TO-262)
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