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FQD4N25TF的图片

FQD4N25TF

晶体管 - FET，MOSFET - 单个

制造厂商：安森美(ONSEMI)

功能简述：MOSFET N-CH 250V 3A DPAK

原厂封装：D-Pak

优势价格，FQD4N25TF的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货

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FQD4N25TF的功能参数资料 - 安森美公司(ONSEMI)提供

制造商产品型号：FQD4N25TF

制造商：ON安森美半导体（ONSEMI）

描述：MOSFET N-CH 250V 3A DPAK

系列：晶体管 - FET，MOSFET - 单个

产品系列：QFET?

零件状态：停产

FET类型：N 通道

技术：MOSFET（金属氧化物）

漏源电压（Vdss）：250V

25°C时电流-连续漏极(Id)：3A（Tc）

驱动电压（最大RdsOn，最小RdsOn）：10V

不同Id、Vgs时导通电阻（最大值）：1.75 欧姆 @ 1.5A，10V

不同Id时Vgs(th)（最大值）：5V @ 250μA

不同Vgs时栅极电荷?(Qg)（最大值）：5.6nC @ 10V

Vgs（最大值）：±30V

不同Vds时输入电容(Ciss)（最大值）：200pF @ 25V

FET功能：-

功率耗散（最大值）：2.5W（Ta），37W（Tc）

工作温度：-55°C ~ 150°C（TJ）

安装类型：表面贴装型

器件封装：D-Pak

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