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FQD12N20TF的图片

FQD12N20TF

安森美(ONSEMI)图标
晶体管 - FET,MOSFET - 单个
制造厂商:安森美(ONSEMI)
功能简述:MOSFET N-CH 200V 9A DPAK
原厂封装:D-Pak
优势价格,FQD12N20TF的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货
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FQD12N20TF的功能参数资料 - 安森美公司(ONSEMI)提供
  • 制造商产品型号:FQD12N20TF
  • 制造商:ON安森美半导体(ONSEMI)
  • 描述:MOSFET N-CH 200V 9A DPAK
  • 系列:晶体管 - FET,MOSFET - 单个
  • 产品系列:QFET?
  • 零件状态:停产
  • FET类型:N 通道
  • 技术:MOSFET(金属氧化物)
  • 漏源电压(Vdss):200V
  • 25°C时电流-连续漏极(Id):9A(Tc)
  • 驱动电压(最大RdsOn,最小RdsOn):10V
  • 不同Id、Vgs时导通电阻(最大值):280 毫欧 @ 4.5A,10V
  • 不同Id时Vgs(th)(最大值):5V @ 250μA
  • 不同Vgs时栅极电荷?(Qg)(最大值):23nC @ 10V
  • Vgs(最大值):±30V
  • 不同Vds时输入电容(Ciss)(最大值):910pF @ 25V
  • FET功能:-
  • 功率耗散(最大值):2.5W(Ta),55W(Tc)
  • 工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ)
  • 安装类型:表面贴装型
  • 器件封装:D-Pak
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