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    FQB9N08LTM的图片

    FQB9N08LTM

    安森美(ONSEMI)图标
    晶体管 - FET，MOSFET - 单个
    制造厂商：安森美(ONSEMI)
    功能简述：MOSFET N-CH 80V 9.3A D2PAK
    原厂封装：D2PAK（TO-263AB）
    优势价格，FQB9N08LTM的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货
    FQB9N08LTM的技术资料下载
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    FQB9N08LTM的功能参数资料 - 安森美公司(ONSEMI)提供
  • 制造商产品型号：FQB9N08LTM
  • 制造商：ON安森美半导体（ONSEMI）
  • 描述：MOSFET N-CH 80V 9.3A D2PAK
  • 系列：晶体管 - FET，MOSFET - 单个
  • 产品系列：QFET?
  • 零件状态：停产
  • FET类型：N 通道
  • 技术：MOSFET（金属氧化物）
  • 漏源电压（Vdss）：80V
  • 25°C时电流-连续漏极(Id)：9.3A（Tc）
  • 驱动电压（最大RdsOn，最小RdsOn）：5V，10V
  • 不同Id、Vgs时导通电阻（最大值）：210 毫欧 @ 4.65A，10V
  • 不同Id时Vgs(th)（最大值）：2V @ 250μA
  • 不同Vgs时栅极电荷?(Qg)（最大值）：6.1nC @ 5V
  • Vgs（最大值）：±20V
  • 不同Vds时输入电容(Ciss)（最大值）：280pF @ 25V
  • FET功能：-
  • 功率耗散（最大值）：3.75W（Ta），40W（Tc）
  • 工作温度：-55°C ~ 175°C（TJ）
  • 安装类型：表面贴装型
  • 器件封装：D2PAK（TO-263AB）
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