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    FQB2N80TM的图片

    FQB2N80TM

    安森美(ONSEMI)图标
    晶体管 - FET，MOSFET - 单个
    制造厂商：安森美(ONSEMI)
    功能简述：MOSFET N-CH 800V 2.4A D2PAK
    原厂封装：D2PAK（TO-263AB）
    优势价格，FQB2N80TM的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货
    FQB2N80TM的技术资料下载
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    FQB2N80TM的功能参数资料 - 安森美公司(ONSEMI)提供
  • 制造商产品型号：FQB2N80TM
  • 制造商：ON安森美半导体（ONSEMI）
  • 描述：MOSFET N-CH 800V 2.4A D2PAK
  • 系列：晶体管 - FET，MOSFET - 单个
  • 产品系列：QFET?
  • 零件状态：停产
  • FET类型：N 通道
  • 技术：MOSFET（金属氧化物）
  • 漏源电压（Vdss）：800V
  • 25°C时电流-连续漏极(Id)：2.4A（Tc）
  • 驱动电压（最大RdsOn，最小RdsOn）：10V
  • 不同Id、Vgs时导通电阻（最大值）：6.3 欧姆 @ 900mA，10V
  • 不同Id时Vgs(th)（最大值）：5V @ 250μA
  • 不同Vgs时栅极电荷?(Qg)（最大值）：15nC @ 10V
  • Vgs（最大值）：±30V
  • 不同Vds时输入电容(Ciss)（最大值）：550pF @ 25V
  • FET功能：-
  • 功率耗散（最大值）：3.13W（Ta），85W（Tc）
  • 工作温度：-55°C ~ 150°C（TJ）
  • 安装类型：表面贴装型
  • 器件封装：D2PAK（TO-263AB）
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