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FQB19N20CTM
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FQB19N20CTM价格
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FQB19N20CTM技术资料
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FQB19N20CTM
晶体管 - FET,MOSFET - 单个
制造厂商:
安森美(ONSEMI)
功能简述:
MOSFET N-CH 200V 19A D2PAK
原厂封装:
DPAK(TO-263AB)
优势价格,FQB19N20CTM的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货
FQB19N20CTM的技术资料下载
FQB19N20CTM的功能参数资料 - 安森美公司(ONSEMI)提供
制造商产品型号:FQB19N20CTM
制造商:ON安森美半导体(ONSEMI)
描述:MOSFET N-CH 200V 19A D2PAK
系列:晶体管 - FET,MOSFET - 单个
产品系列:QFET
零件状态:有源
FET类型:N 通道
技术:MOSFET(金属氧化物)
漏源电压(Vdss):200V
25°C时电流-连续漏极(Id):19A(Tc)
驱动电压(最大RdsOn,最小RdsOn):10V
不同Id、Vgs时导通电阻(最大值):170 毫欧 @ 9.5A,10V
不同Id时Vgs(th)(最大值):4V @ 250A
不同Vgs时栅极电荷(Qg)(最大值):53nC @ 10V
Vgs(最大值):±30V
不同Vds时输入电容(Ciss)(最大值):1080pF @ 25V
FET功能:-
功率耗散(最大值):3.13W(Ta),139W(Tc)
工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ)
安装类型:表面贴装型
器件封装:DPAK(TO-263AB)
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