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    FQB13N10LTM的图片

    FQB13N10LTM

    安森美(ONSEMI)图标
    晶体管 - FET，MOSFET - 单个
    制造厂商：安森美(ONSEMI)
    功能简述：MOSFET N-CH 100V 12.8A D2PAK
    原厂封装：D2PAK（TO-263AB）
    优势价格，FQB13N10LTM的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货
    FQB13N10LTM的技术资料下载
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    FQB13N10LTM的功能参数资料 - 安森美公司(ONSEMI)提供
  • 制造商产品型号：FQB13N10LTM
  • 制造商：ON安森美半导体（ONSEMI）
  • 描述：MOSFET N-CH 100V 12.8A D2PAK
  • 系列：晶体管 - FET，MOSFET - 单个
  • 产品系列：QFET?
  • 零件状态：停产
  • FET类型：N 通道
  • 技术：MOSFET（金属氧化物）
  • 漏源电压（Vdss）：100V
  • 25°C时电流-连续漏极(Id)：12.8A（Tc）
  • 驱动电压（最大RdsOn，最小RdsOn）：5V，10V
  • 不同Id、Vgs时导通电阻（最大值）：180 毫欧 @ 6.4A，10V
  • 不同Id时Vgs(th)（最大值）：2V @ 250μA
  • 不同Vgs时栅极电荷?(Qg)（最大值）：12nC @ 5V
  • Vgs（最大值）：±20V
  • 不同Vds时输入电容(Ciss)（最大值）：520pF @ 25V
  • FET功能：-
  • 功率耗散（最大值）：3.75W（Ta），65W（Tc）
  • 工作温度：-55°C ~ 175°C（TJ）
  • 安装类型：表面贴装型
  • 器件封装：D2PAK（TO-263AB）
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