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FQAF8N80
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FQAF8N80技术资料
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FQAF8N80
晶体管 - FET，MOSFET - 单个
制造厂商：
安森美(ONSEMI)
功能简述：
MOSFET N-CH 800V 5.9A TO3PF
原厂封装：
TO-3PF
优势价格，FQAF8N80的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货
FQAF8N80的技术资料下载
FQAF8N80的功能参数资料 - 安森美公司(ONSEMI)提供
制造商产品型号：FQAF8N80
制造商：ON安森美半导体（ONSEMI）
描述：MOSFET N-CH 800V 5.9A TO3PF
系列：晶体管 - FET，MOSFET - 单个
产品系列：QFET?
零件状态：停产
FET类型：N 通道
技术：MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）：800V
25°C时电流-连续漏极(Id)：5.9A（Tc）
驱动电压（最大RdsOn，最小RdsOn）：10V
不同Id、Vgs时导通电阻（最大值）：1.2 欧姆 @ 2.95A，10V
不同Id时Vgs(th)（最大值）：5V @ 250μA
不同Vgs时栅极电荷?(Qg)（最大值）：57nC @ 10V
Vgs（最大值）：±30V
不同Vds时输入电容(Ciss)（最大值）：2350pF @ 25V
FET功能：-
功率耗散（最大值）：107W（Tc）
工作温度：-55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型：通孔
器件封装：TO-3PF
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